徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/阿尾 高広/交替式スパッタリング法によるAlN膜の残留応力測定/[材料]

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EID
16445
EOID
328492
Map
0
LastModified
2007年2月14日(水) 15:59:20
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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Write
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 日本語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
  2. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Ao Takahiro / (日) 阿尾 高広 / (読) あお たかひろ
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Residual Stress Measurement in AlN Film Deposited by Alternating Sputtering Method

(日) 交替式スパッタリング法によるAlN膜の残留応力測定

副題 任意
要約 任意

(英) Crystal orientation and residual stress development in AlN films deposited on BLC glass (Borosilicate glass; the thermal expansion coefficient of which is nearly equal to that of AlN) substrates were investigated by X-ray diffraction method. The AlN films were prepared by an alternating planar magnetron sputtering system under the condition of constant substrate temperature, various nitrogen gas pressures between 0.17 Pa and 1.1 Pa and various switching time to alternate the anodic and cathodic polarity of two target electrodes between 30sec and 600sec. The measurement of intensity from 00·2 diffraction showed that c-axis orientation of AlN film was improved when the film was deposited at low nitrogen gas pressure below 0.5 Pa and large switching time over 300sec. The tensile residual stresses were found in the films deposited at low nitrogen gas pressure below 0.3 Pa or high nitrogen gas pressure over 0.8 Pa and short switching time below 120sec.

(日) BLCガラス基板上に堆積させたAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調べた.交替式プレーナマグネトロンスパッタリング法を用いて,一定の基板温度,0.17Paと1.1Paの間のいろいろな窒素ガス圧,30秒と600秒の間のいろいろなスイッチ切り換え時間(2つの電極の正極と陰極を切り換える時間)でAlN膜を用意した.0.5Pa以下の窒素ガス圧,300秒以上の長スイッチ切り換え時間で膜を堆積したとき,AlN膜のc軸配向性は良くなる.0.3Pa以下の低窒素ガス圧,0.8Pa以上の高窒素ガス圧,120秒以下のスイッチ切り換え時間で堆積させた膜には,引張残留応力が発生する.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 材料([日本材料学会])
(resolved by 0514-5163)
ISSN: 0514-5163 (pISSN: 0514-5163, eISSN: 1880-7488)
Title: 材料
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Society of Materials Science Japan
 (Webcat Plus  (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1880-7488)
ISSN: 0514-5163 (pISSN: 0514-5163, eISSN: 1880-7488)
Title: 材料
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Society of Materials Science Japan
 (Webcat Plus  (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 46
必須 12
必須 1429 1435
都市 任意 京都(Kyoto/[日本国])
年月日 必須 1997年 12月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意