徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

徳島大学ウェブサイトへのリンク

著作: [日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by the Planar Magnetron Sputtering System/[Thin Solid Films]

ヘルプを読む

「著作」(著作(著書,論文,レター,国際会議など))は,研究業績にかかる著作(著書,論文,レター,国際会議など)を登録するテーブルです. (この情報が属するテーブルの詳細な定義を見る)

  • 項目名の部分にマウスカーソルを置いて少し待つと,項目の簡単な説明がツールチップ表示されます.

この情報をEDB閲覧画面で開く

EID
16441
EOID
328483
Map
0
LastModified
2007年2月14日(水) 15:54:32
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
  2. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of Nitrogen Gas Pressure on Residual Stress in AlN Films Deposited by the Planar Magnetron Sputtering System

副題 任意
要約 任意

(英) The crystal orientation and residual stress development in AlN films deposited on borosilicate (BLC) glass substrates were investigated by X-ray diffraction. Deposition was performed using two kinds of planar magnetron sputtering system: a conventional system (CPM system) and a special system with two facing targets (FTPM system). The nitrogen gas pressure (PN) was varied over a suitable range for each system. The diffraction patterns of the AlN films showed that the c-axis orientation was improved when the films were deposited using the CPM system at a nitrogen gas pressure lower than 1 Pa. For the CPM system, compressive residual stress was found in films deposited at PN ≦ 2 Pa and tensile residual stress at PN > 2 Pa/ For the FTPM system, tensile residual stress was found in films deposited at PN < 0.8 Pa and compressive residual stress at PN > 0.8 Pa.

(日) BLCガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性および残留応力をX線回折法により調べた.従来型システム(CPMシステム)と対向ターゲット式システム(FTPMシステム)の2種類のプレーナマグネトロンスパッタリング法により成膜を行った.それぞれのシステムにおいて窒素ガス圧(PN)を変化させた. CPMシステムにより1Pa以下の低窒素ガス圧で堆積させたとき,AlN膜の回折線図形からc軸配向性が向上することが明らかになった.CPMシステムにおいて,2Pa以下のPNで堆積させた膜で圧縮残留応力が,2Pa以上のPNで堆積させた膜で引張残留応力が発生する.FTPMシステムにおいて,0.8Pa以下のPNで堆積させた膜で圧縮残留応力が,0.8Pa以上のPNで堆積させた膜で引張残留応力が発生する.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Thin Solid Films([Elsevier])
(resolved by 0040-6090)
ISSN: 0040-6090 (pISSN: 0040-6090)
Title: Thin solid films
Title(ISO): Thin Solid Films
Publisher: Elsevier Sequoia
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 281-282
必須
必須 340 343
都市 任意
年月日 必須 1996年 4月 1日
URL 任意 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW0-3VS9496-DK&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-ADU-MsSAYVA-UUA-AUECWBVCDB-AUEWYACBDB-CDADAYUBA-ADU-U&_fmt=summary&_coverDate=08%2F01%2F1996&_rdoc=91&_orig=browse&_srch=%23toc%235548%231996%23997179998%2358449!&_cdi=5548&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=c597a958b45508f8e08a233bc091347b
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意