徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/プレーナマグネトロンスパッタリング生成によるAlN膜の結晶配向性と残留応力のプラズマ汚染の影響/[材料]

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EID
16440
EOID
328479
Map
0
LastModified
2007年2月14日(水) 15:52:16
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 日本語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
  2. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effects of Plasma Contamination on Crystal Orientation and Residual Stress in AlN Films Deposited by Planar Magnetron Sputtering

(日) プレーナマグネトロンスパッタリング生成によるAlN膜の結晶配向性と残留応力のプラズマ汚染の影響

副題 任意
要約 任意

(英) Crystal orientation and residual stress development in AlN films deposited on BLC glass (Borosilicate glass; the thermal expansion coefficient of which is nearly equal to that of AlN) substrate were investigated by an X-ray diffraction. Deposition was made by a conventional planar magnetron sputtering system under the nitrogen gas pressure of 0.65 Pa at the substrate temperature between 423K and 523K. In order to investigate the effect of plasma contamination, the distance between the target and the substrate holder (target distance dT) was chosen at 30 mm and 60 mm. The intensity of 00·2 diffraction showed that the c-axis orientation of AlN films was improved by the deposition with a short target distance (dT=30 mm). However, in all the AlN films deposited with dT=30 mm, fine cracks were observed probably due to the effect of plasma contamination. In the films deposited with a long target distance (dT=60 mm), large tensile residual stress greater than 1 GPa was found at every substrate temperature used in the present investigation. In the film deposited with dT=30 mm, tensile residual stress became larger with increasing substrate temperature. As compared with the AlN films deposited with dT=60 mm, the tensile residual stress in AlN films deposited with dT=30 mm considerably decreased because of the effect of ion bombardment.

(日) X線回折法を用いてBLCガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力を調べた.従来型プレーナマグネトロンスパッタリング法により窒素ガス圧0.65Pa,基板温度423Kおよび523Kで成膜を行った.プラズマ汚染の影響を調べるために,ターゲットと基板間距離dTを30∼60mmに変化させた.00·2回折強度の測定より,短dTで堆積したAlN膜のc軸配向性が良くなることが分かった.しかし,dT=30mmで用意したすべての膜は,プラズマ汚染の影響により細かな割れが観察された.dT=60mmで形成した膜には,本実験で行った両基板温度において1GPa以上の大きな引っ張り残留応力が発生した.dT=30mmで形成した場合,基板温度の増加とともに引張残留応力が増加した.dT=60mmで形成した膜に比べて,dT=30mmで形成した膜の引張残留応力はイオン衝撃の効果のために減少した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 材料([日本材料学会])
(resolved by 0514-5163)
ISSN: 0514-5163 (pISSN: 0514-5163, eISSN: 1880-7488)
Title: 材料
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Society of Materials Science Japan
 (Webcat Plus  (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1880-7488)
ISSN: 0514-5163 (pISSN: 0514-5163, eISSN: 1880-7488)
Title: 材料
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Society of Materials Science Japan
 (Webcat Plus  (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 43
必須 490
必須 799 805
都市 任意 京都(Kyoto/[日本国])
年月日 必須 1994年 7月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意