徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/谷口 大輔/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Film Deposited by d.c. Sputtering/Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application

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EID
16438
EOID
350970
Map
0
LastModified
2007年8月1日(水) 12:29:21
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Taniguchi Daisike / (日) 谷口 大輔 / (読) たにぐち だいすけ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《谷口 大輔 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 1999年4月〜2001年3月》
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  3. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of Sputtering Power on Residual Stress in AlN Film Deposited by d.c. Sputtering

副題 任意
要約 任意

(日) 本論文は,dcプレーなマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に作製したAlN薄膜の結晶配向性および残留応力を,原子間力顕微鏡およびX線回折法により実験的検証をしたものである.薄膜の作製条件としては,一定窒素ガス圧,一定基板温度の下で,スパッタリングパワーをパラメータとして変化させた.得られた結果は次のとおりである.(1)結晶サイズと薄膜の厚さはスパッタリングパワーと共に増加した.もっとも良いc軸配向性はスパッタリングパワーが140Wの時に得られた.(3)スパッタリングパワーが低いときには引っ張り残留応力が,高いとき(154W,および180W)には圧縮残留応力になった.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application
ISSN 任意
必須
必須
必須 223 228
都市 必須 徳島(Tokushima/[日本国])
年月日 必須 1999年 11月 23日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意