徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: 古谷 公平/John Lieng Anak Bujang/[日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of Depositing Time and Sputtering Power on Residual Stress in InN Films Deposited by RF Sputtering/Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application

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EID
16435
EOID
350968
Map
0
LastModified
2007年8月1日(水) 12:28:25
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Furutani Kouhei / (日) 古谷 公平 / (読) ふるたに こうへい
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《古谷 公平 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 1999年4月〜2001年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  2. (英) John Lieng Anak Bujang
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of Depositing Time and Sputtering Power on Residual Stress in InN Films Deposited by RF Sputtering

副題 任意
要約 任意

(日) 本論文は,rfマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に作製したInN膜の残留応力を測定したものである.膜作製条件として,蒸着時間とスパッタリングパワーをとった.膜表面の微視的状態を原子間力顕微鏡で,膜の残留応力をX線回折法で測定した.120分で作製した膜は最高のc軸配向が示され,残留応力は1700MPaになった.180分および240分の膜はc軸配向性が劣化し,残竜応力はほぼ零であった.スパッタリングパワーが100Wの時表面粗さは最小となり,c軸配向特性も最良に,また残留応力は最高の引張応力になった.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Proceedings of the Second International Conference on Advanced Materials Development and Performance Evaluation and Application
ISSN 任意
必須
必須
必須 887 890
都市 必須 徳島(Tokushima/[日本国])
年月日 必須 1999年 11月 23日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意