徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/阿尾 高広/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of External Magnetic Field on c-axis Orientation and Residual Stress in AlN Films/[Thin Solid Films]

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EID
16299
EOID
328495
Map
0
LastModified
2007年2月14日(水) 16:00:52
Operator
日下 一也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
Read
継承
Write
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Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Ao Takahiro / (日) 阿尾 高広 / (読) あお たかひろ
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of External Magnetic Field on c-axis Orientation and Residual Stress in AlN Films

副題 任意
要約 任意

(英) Crystal orientation and residual stress development in AlN films on borosilicate glass (the thermal expansion coefficient of which is nearly equal to that of AlN) substrate were investigated by atomic force microscopy (AFM) observation and X-ray diffraction method. The AlN films were prepared by a planar magnetron sputtering system with two opposite targets under the condition of constant nitrogen gas pressure, constant substrate temperature, various deposition time and various external magnetic field (EM) between 63 and 128 gauss. We obtain the following results: (1) the size of crystal grains was large and the value of FWHM of 00·2 diffraction line was small at large EM; (2) the c-axis orientation was good for all films; (3) the large tensile residual stresses were obtained at large EM and decreased with decreasing the EM because of ion peening.

(日) ホウ珪酸ガラス基板上に堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力を原子間力顕微鏡(AFM)観察およびX線回折法により調べた.一定の窒素ガス圧,一定の基板温度,いろいろな堆積時間,63と128ガウスの間のいろいろな外部磁場(EM)の条件の下,対向ターゲット式プレーナマグネトロンスパッタリングによってAlN膜を用意した.我々は次の結果を得た.(1)大EMで結晶粒の大きさが大きくなり,00·2回折線の半価幅値は小さくなる.(2)すべての膜でc軸配向性は良い.(3)大きな引張残留応力が大EMで発生し,EMの減少にともないイオン衝撃のために引張残留応力が減少する.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Thin Solid Films([Elsevier])
(resolved by 0040-6090)
ISSN: 0040-6090 (pISSN: 0040-6090)
Title: Thin solid films
Title(ISO): Thin Solid Films
Publisher: Elsevier Sequoia
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 332
必須 1-2
必須 247 251
都市 任意
年月日 必須 1998年 11月 1日
URL 任意 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW0-3XFTXV9-1M&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-YB-MsSAYZA-UUW-AUECWBEUDZ-AUEWYAEYDZ-CDADZBVDD-YB-U&_fmt=summary&_coverDate=11%2F02%2F1998&_rdoc=42&_orig=browse&_srch=%23toc%235548%231998%23996679998%23126729!&_cdi=5548&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=2f6c6cec20b352249a8652686b4750ce
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意