徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/谷口 大輔/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of Input Power on Crystal Orientation and Residual Stress in AlN Film Deposited by dc Sputtering/[Vacuum]

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EID
16136
EOID
732211
Map
0
LastModified
2014年4月30日(水) 10:35:01
Operator
松井 栄里
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Taniguchi Daisuke / (日) 谷口 大輔 / (読) たにぐち だいすけ
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《谷口 大輔 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 1999年4月〜2001年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  3. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of Input Power on Crystal Orientation and Residual Stress in AlN Film Deposited by dc Sputtering

副題 任意
要約 任意

(英) The crystal orientation and residual stress development in AlN films deposited by dc planar magnetron sputtering on a glass substrate were investigated by atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffraction. The microscopic surface morphology, the film thickness and the crystal orientation were investigated for films that were deposited at a constant N2 gas pressure and a constant heating temperature of the substrate at various input powers. The following results were obtained: (1) the crystal grain size and the film thickness increased with increasing input power; (2) c-axis orientation was slightly good at high input power; (3) tensile residual stresses were obtained at low input power and large compressive stresses were obtained at high input powers of P=154 and 180 W.

(日) ガラス基板上DCプレーナマグネトロンスパッタリングによって堆積したAlN膜の結晶配向性と残留応力を原子間力顕微鏡(AFM)観察およびX線回折法により調べた.一定のN2ガス圧,一定の基板温度,いろいろな供給電力で堆積した膜の顕微鏡表面形態,膜厚および結晶配向性を調べた.次の結果が得られた.(1)結晶粒サイズと膜厚は供給電力の増加とともに増加した.(2)c軸配向性は高い供給電力でわずかに良くなった.(3)低供給電力で引張残留応力が,P=154および180Wの高供給電力で大きな圧縮応力が得られた.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Vacuum([Elsevier Science])
(resolved by 0042-207X)
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1879-2715)
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 59
必須 2-3
必須 806 813
都市 任意
年月日 必須 2000年 11月 1日
URL 任意 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW4-418PN00-25&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-ZV-MsSAYVW-UUA-AUECWVWVUC-AUEWYWBWUC-CDAYUZDWY-ZV-U&_fmt=full&_coverDate=11%2F30%2F2000&_rdoc=61&_orig=browse&_srch=%23toc%235552%232000%23999409997%23210831!&_cdi=5552&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=79afe2ae049b9146e68234cc84e49e90
DOI 任意 10.1016/S0042-207X(00)00351-1    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000165157100061
Scopus 任意 2-s2.0-0001424183
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意