徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [酒井 士郎]/Cheng T.C./Foxon T.C./Sugahara Tomoya/[直井 美貴]/Naoi Hiroyuki/Growth of InNAs on GaAs(100) Substrates by Moleculer-Beam Epitaxy/[Journal of Crystal Growth]

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EID
15831
EOID
215342
Map
0
LastModified
2005年3月8日(火) 17:52:03
Operator
直井 美貴
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Cheng T.C.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Foxon T.C.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Sugahara Tomoya
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 実験,考察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Naoi Hiroyuki
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Growth of InNAs on GaAs(100) Substrates by Moleculer-Beam Epitaxy

副題 任意
要約 任意

(日) 非常に小さなバンドギャップであると予想されるInNAs混晶を分子線エピタキシー法を用いGaAs基板上に成長した.窒素組成38%の混晶が得られた.この結晶は,GaAs基板と格子整合する場合に得られる事を示した.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 189-190
必須
必須 471 475
都市 任意
年月日 必須 1998年 6月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意