徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [直井 美貴]/Kobatake Keizo/Kurai Satoshi/[西野 克志]/Sato Hisao/Yamashita Ken-ichi/Nozaki Masaaki/[酒井 士郎]/[新谷 義廣]/Characterization of Bulk GaN Grown by Sublimation Technique/[Journal of Crystal Growth]

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EID
15830
EOID
215331
Map
0
LastModified
2005年3月8日(火) 17:44:52
Operator
直井 美貴
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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Write
継承
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 計画,実験,考察,記述
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kobatake Keizo
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Kurai Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Sato Hisao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Yamashita Ken-ichi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Nozaki Masaaki
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  9. 新谷 義廣
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Characterization of Bulk GaN Grown by Sublimation Technique
副題 任意
要約 任意

(日) 昇華法によりつくられたバルクGaNをX線回折,2次イオン質量分析,ラマン散乱分光および電気的特性実験により評価した.本報告で使用したバルク結晶は高い結晶完全性をもち高い純度をもつものであることを示した.
キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
巻 必須 189-190
号 必須
頁 必須 163 166
都市 任意
年月日 必須 1998年 6月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意