徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Sugahara Tomoya/Sato Hisao/Hao Maosheng/[直井 美貴]/Kurai Satoshi/Tottori Satoru/Yamashita Kenji/[西野 克志]/[西野 克志]/[酒井 士郎]/Direct Evidence that Dislocations are Non-radiative Recombination Centers in GaN/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

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EID
15801
EOID
835867
Map
0
LastModified
2016年9月6日(火) 17:52:28
Operator
直井 美貴
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術レター(ショートペーパー)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Sugahara Tomoya
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Sato Hisao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Hao Maosheng
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 実験,考察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Kurai Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Tottori Satoru
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Yamashita Kenji
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  9. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  10. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Direct Evidence that Dislocations are Non-radiative Recombination Centers in GaN

副題 任意
要約 任意

(日) 平面TEM観察およびカソードルミネッセンス像測定を,n型GaNにおいて同一試料·同一場所に対して行った.カソードルミネッセンス像中の暗点は,TEM像中における転位と1対1で対応することを示した.n型GaN中の正孔の拡散距離を約50nmであると評価した.GaN発光効率は,少数キャリヤの拡散長が転位の間隔よりも短いほど高くなることを実験的に明らかにした.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)([応用物理学会])
ISSN 任意
必須 37
必須 4A
必須 L398 L400
都市 任意
年月日 必須 1998年 4月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意