徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Sato Hisao/Sugahara Tomoya/Hao Maosheng/[直井 美貴]/Kurai Satoshi/Yamashita Ken-ichi/[西野 克志]/[酒井 士郎]/Surface Pretreatment of Bulk GaN for Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)]

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EID
15797
EOID
215292
Map
0
LastModified
2005年3月8日(火) 17:07:59
Operator
直井 美貴
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Sato Hisao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Sugahara Tomoya
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Hao Maosheng
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) MOCVD成長,考察,記述

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Kurai Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Yamashita Ken-ichi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Surface Pretreatment of Bulk GaN for Homoepitaxial Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

副題 任意
要約 任意

(日) 昇華法により成長されたバルクGaN上へ,有機金属気相成長法によりホモエピタキシャル成長を行い,バルク表面の前処理効果について検討した.平滑な表面をもち,強いカソードルミネッセンス光を発する試料が,バルク結晶に対して適切な前処理を施すことにより得られた.このカソードルミネッセンス光は,サファイア基板上へ成長させたGaN膜から得られるものよりも強い.また,ホモエピタキシャル膜の転位密度は,適切な前処理により,著しく減少する事を示した.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes)([応用物理学会])
(resolved by 0021-4922)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
(resolved by 1347-4065)
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 37
必須 2
必須 621 631
都市 任意
年月日 必須 1998年 2月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意