徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Wang Jie/Nozaki Masaaki/Ishikawa Yasuhiro/Hao Maosheng/Morishima Sadanori/Wang Tao/[直井 美貴]/[酒井 士郎]/Fabrication of Nanoscale Structures of InGaN by MOCVD Lateral Overgrowth/[Journal of Crystal Growth]

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EID
15785
EOID
215368
Map
0
LastModified
2005年3月8日(火) 18:30:26
Operator
直井 美貴
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Wang Jie
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Nozaki Masaaki
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Ishikawa Yasuhiro
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Hao Maosheng
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Morishima Sadanori
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Wang Tao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) 実験,考察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Fabrication of Nanoscale Structures of InGaN by MOCVD Lateral Overgrowth

副題 任意
要約 任意

(日) ナノメータサイズのInGaN量子線および量子ドットを選択成長法を用い形成できることを示し,その光学特性および転位について議論した.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 197
必須 1-2
必須 48 53
都市 任意
年月日 必須 1999年 2月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意