徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Watanabe Issei/Kanzaki Kenji/[北田 貴弘]/Yamamoto Masashi/Shimomura Satoshi/Hiyamizu Satoshi/Characterization of interface roughness scattering of electrons in an In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As QW-HEMT structure with (411)A super-flat interfaces/[Journal of Crystal Growth]

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EID
156665
EOID
933371
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0
LastModified
2018年11月30日(金) 15:54:42
Operator
加藤 真樹
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TRUE
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0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
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審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Watanabe Issei
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kanzaki Kenji
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Yamamoto Masashi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Shimomura Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Hiyamizu Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Characterization of interface roughness scattering of electrons in an In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As QW-HEMT structure with (411)A super-flat interfaces

副題 任意
要約 任意

(英) In order to characterize interface roughness scattering, two-dimensional electron gas (2DEG) mobility in (4 1 1)A and(1 0 0) selectively-doped In0:53Ga0:47As/In0:52Al0:48As quantum well (QW) HEMT structures, which were grown on InP substrates by molecular beam epitaxy, with a gate contact was measured at 20 K as a function of sheet electron concentration (Ns) by changing gate bias. Thickness of the QW was designed to be rather small (6 nm) for enhancing theinterface roughness scattering for both samples. 2DEG mobilities of the (4 1 1)A sample were 21,000-51,400 cm2/Vs inthe range of Ns=0.7-1.7×1012cm-2,which are about more than 2 times higher than the mobilities (8,700-25,400 cm2/Vs) of the conventional (1 0 0) sample. 2DEG mobility was calculated by taking into account interfaceroughness scattering and ionized remote impurity scattering. By fitting the calculated results to the observed ones,lateral size (Λ) and height (Δ) of the interface roughness of the (4 1 1)A sample were determined to be 3.5 and 0.23 nm, respectively, which are 30% and 50% smaller than the corresponding values (Λ=5.0nm and Δ=0.43nm) of the(1 0 0) sample.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 251
必須
必須 90 95
都市 任意
年月日 必須 2003年 1月 1日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(02)02422-3    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000182179800017
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意