徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: [北田 貴弘]/Aoki Toyohiro/Watanabe Issei/Shimomura Satoshi/Hiyamizu Satoshi/Optimized channel thickness for high electron mobility in pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As quantum-well HEMT structures with (411)A super-flat interfaces grown by MBE/[Journal of Crystal Growth]

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EID
156660
EOID
934219
Map
0
LastModified
2018年12月3日(月) 17:59:39
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Aoki Toyohiro
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Watanabe Issei
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Shimomura Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Hiyamizu Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Optimized channel thickness for high electron mobility in pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As quantum-well HEMT structures with (411)A super-flat interfaces grown by MBE

副題 任意
要約 任意

(英) We have investigated channel thickness (Lw) dependence of transport properties of two-dimensional-electron gas (2DEG) in pseudomorphic In0:74Ga0:26As/In0:52Al0:48As quantum well high electron mobility transistor (QW-HEMT) structures with extremely flat heterointerfaces [(411)A super-at interfaces] grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The highest electron mobility of 90,500cm2/Vs (77K) with a sheet carrier concentration (Ns ) of 3.1 1012 cm-2 was observed for the (411)A QW-HEMT structure with Lw=8nm, which is about 1.5 times larger than the best value (μ= 61,000cm2/Vs at 77K) of ever reported electron mobility with a similar Ns of 3.0×1012 cm-2 for the InGaAs/InAlAs QW-HEMT structure grown on a (100) InP substrate. This enhancement of the electron mobility of the (411)A QW-HEMT structure is mainly due to much improved atness of the (411)A InGaAs/InAlAs heterointerfaces compared with those of conventional (100) interfaces, which results in a large reduction of interface roughness scattering of 2DEG.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 227-228
必須
必須 289 293
都市 任意
年月日 必須 2001年 1月 1日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(01)00707-2    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
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被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意