徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

徳島大学ウェブサイトへのリンク

著作: Shimomura Satoshi/Kitano Yoshiaki/Kuge Hidehiko/[北田 貴弘]/Nakajima Kazuo/Hiyamizu Satoshi/Lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (x = 0.18 and 0.19) grown on (411)A- and (100)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy/[Journal of Crystal Growth]

ヘルプを読む

「著作」(著作(著書,論文,レター,国際会議など))は,研究業績にかかる著作(著書,論文,レター,国際会議など)を登録するテーブルです. (この情報が属するテーブルの詳細な定義を見る)

  • 項目名の部分にマウスカーソルを置いて少し待つと,項目の簡単な説明がツールチップ表示されます.

この情報をEDB閲覧画面で開く

EID
156659
EOID
934217
Map
0
LastModified
2018年12月3日(月) 17:58:43
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
加藤 真樹
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Shimomura Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kitano Yoshiaki
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Kuge Hidehiko
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 北田 貴弘([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.ナノマテリアルテクノロジー(日亜)]/->個人[塚越 貴弘])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Nakajima Kazuo
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Hiyamizu Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (x = 0.18 and 0.19) grown on (411)A- and (100)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy

副題 任意
要約 任意

(英) High-optical quality lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (QWs) with indium contents of x=0.18-0.19 have been successfully grown on (4 1 1)A- and (1 0 0)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy. Strong photoluminescence (PL) with a narrow linewidth was observed from both (4 1 1)A and (1 0 0) QWs at 12 K. The peak energy of PL from QWs had a good correlation with the calculated exciton emission energy based on the band parameter of the InGaAs well layers and InAlAs barrier layers. The result indicates that the (4 1 1)A and (1 0 0) InGaAs/InAlAs QWs on InGaAs ternary substrates have 0.2 eV larger energy gap difference between their well and barrier materials than GaAs/AlAs QWs on GaAs binary substrates or InGaAs/InAlAs QWs on InP binary substrates. In addition, the (4 1 1)A In0.18Ga0.82As/In0.18Al0.82As QWs had a narrower PL linewidth than (1 0 0) QWs indicating that smoother interfaces were realized in the (4 1 1)A QWs.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 227-228
必須
必須 72 76
都市 任意
年月日 必須 2001年 1月 1日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/S0022-0248(01)00635-2    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意