徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Yan Fawang/[西野 克志]/[酒井 士郎]/Growth and Characteristics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

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EID
155241
EOID
670423
Map
0
LastModified
2012年11月12日(月) 19:59:05
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
西野 克志
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種別 必須 学術レター(ショートペーパー)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Yan Fawang
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Growth and Characteristics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia

副題 任意
要約 任意

(英) With the advantages of low cost, simplicity, and scalability, a direct reaction using gallium (Ga) and ammonia (NH3) has been employed to deposit GaN film on a (0001) sapphire substrate. We find that only GaN crystallites with diameters in the range of 0.4-5 μm are sparsely deposited on a bare (0001) sapphire substrate. To increase the density of the GaN nucleation site and thus form continuous GaN film, a 50-nm-thick AlN layer [grown on the (0001) sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at 1150 °C in a pulsed manner] is used as a template layer. Plan-view scanning electron microscopy (SEM) and cross-sectional SEM experimental results show that the GaN film has a specular smooth surface and that the film thickness is about 10 μm after 1 h deposition. X-ray diffraction (XRD) and cathodoluminescence (CL) experimental results indicate that the formed GaN film is of single crystals with a hexagonal structure. The full widths at half-maximum (FWHM) of the (002) and (102) X-ray rocking curves are 420 and 556 arcsec, respectively. Our experimental results demonstrate that the growth of high-quality and thick GaN film via a direct reaction is possible.

キーワード 推奨
  1. (英) gallium nitride
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [キーワード] 窒化ガリウム (gallium nitride)
  2. (英) nucleation density
発行所 推奨 (英) INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS / (日) Japan Society of Applied Physics
データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
[組織] 物理系学術誌刊行協会
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)([応用物理学会])
ISSN 任意
必須 45
必須 27
必須 L697 L700
都市 任意
年月日 必須 2006年 7月 14日
URL 任意 http://ci.nii.ac.jp/naid/10017653514/
DOI 任意 10.1143/JJAP.45.L697    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意 10017653514
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意