徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Sumiyoshi K./Tsukihara M./Kataoka K./Kawamichi S./Okimoto T./[西野 克志]/[直井 美貴]/[酒井 士郎]/Al0.17Ga0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition/[Japanese Journal of Applied Physics]

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EID
154232
EOID
949793
Map
0
LastModified
2019年7月16日(火) 15:59:15
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 量子物質科学(2006年4月1日〜2016年3月31日)
  2. 知的材料システム(2006年4月1日〜2016年3月31日)
著者 必須
  1. (英) Sumiyoshi K.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《住吉 和英 (Sumiyoshi Kazuhide) @ 工学研究科.博士後期課程 [大学院学生] 2004年4月〜2007年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  2. (英) Tsukihara M.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《月原 務 (Tsukihara Tsutomu) @ 工学部 [学部学生] 2001年4月〜2003年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  3. (英) Kataoka K.
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [個人] 片岡 啓一
    [個人] 片岡 佳子 ([徳島大学.大学院医歯薬学研究部.保健学域.保健科学部門.医用検査学系.微生物・遺伝子解析学])
    [個人] 片岡 宏介
    [個人] 片岡 菜奈子
    [個人] 片岡 英樹
    [個人] 片岡 正俊
    [個人] 片岡 三佳
    [個人] 片岡 由樹 ([徳島大学.技術支援部.常三島技術部門.情報システムグループ]/[情報システム技術分野]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.総合技術センター.情報光システムコース (総合技術センター)])
    この情報が上記に掲げた個人の業績等に分類されるためには参照登録が必要です.上記に掲げた個人本人に該当する場合には参照登録に変更してください.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《片岡 由香 (Kataoka Yuka) @ 先端技術科学教育部.博士前期課程 [大学院学生] 2006年4月〜2008年3月》
    《片岡 由樹 (Kataoka Yoshiki) @ 先端技術科学教育部.博士前期課程 [大学院学生] 2006年4月〜2008年3月》
    《片岡 大将 (Kataoka Daisuke) @ 工学部 [学部学生] 2004年4月〜2008年3月》
    《片岡 睦子 (Kataoka Mutsuko) @ 医学研究科.修士課程 [大学院学生] 2003年4月〜2005年3月》
    《片岡 大茂 (Kataoka Hiroshige) @ 工学部 [学部学生] 2006年4月〜2010年3月》
    《片岡 知弥 (Kataoka Tomoya) @ 工学部 [学部学生] 2005年4月〜2010年3月》
    《片岡 強太 (Kataoka Kyouta) @ 工学部 [学部学生] 2001年4月〜2003年3月》
    《片岡 匡生 (Kataoka Tadao) @ 総合科学部 [学部学生] 1997年4月〜2002年3月》
    《片岡 涼子 (Kataoka Ryouko) @ 医科学教育部.博士課程 [大学院学生] 2007年4月〜2012年9月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  4. (英) Kawamichi S.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Okimoto T.
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [個人] 時本 豊太郎 ([徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.光システム工学コース.光情報システム工学講座])
    この情報が上記に掲げた個人の業績等に分類されるためには参照登録が必要です.上記に掲げた個人本人に該当する場合には参照登録に変更してください.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《沖本 聖 (Okimoto Takashi) @ 先端技術科学教育部.博士前期課程 [大学院学生] 2006年4月〜2008年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  6. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  8. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Al0.17Ga0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

副題 任意
要約 任意

(英) The reduction of the dislocation density in a high-temperature (HT)-Al0.17Ga0.83N epitaxial layer was achieved by a middle-temperature (MT)-intermediate layer technique, in which the HT and the MT were 1050 and 950 °C, respectively. For one set of the MT-intermediate layer, the structure was 4.5-μm-thick HT-Al0.17Ga0.83N/1-μm-thick MT-intermediate layer/100-nm-thick HT-Al0.17Ga0.83N layer/low-temperature (LT)-GaNP buffer/trenched (0001) sapphire. The full-width at half maximum values of (0002) and ($10ar{1}2$) diffraction peaks of the X-ray diffraction for the Al0.17Ga0.83N epitaxial layer using one set of the MT-intermediate layer were improved to 359 and 486 arcsec compared with 401 and 977 arcsec for the film without the MT-intermediate layer technique, respectively. Transmission electron microscopy result showed that the dislocation density in the Al0.17Ga0.83N film using one set of MT-intermediate layer was reduced from $(1--4)imes 10^{10}$ to $1.7imes 10^{9}$ cm-2. The Al0.17Ga0.83N epitaxial film including two sets of MT-intermediate layers improved the most, showing a dislocation density of $9.3imes 10^{8}$ cm-2.

キーワード 推奨
  1. (英) intermediate layer
  2. (英) middle temperature
  3. (英) aluminum gallium nitride
  4. (英) metal-organic chemical vapor deposition
発行所 推奨 物理系学術誌刊行協会
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics([応用物理学会])
(pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
ISSN 任意 0021-4922
ISSN: 0021-4922 (pISSN: 0021-4922, eISSN: 1347-4065)
Title: Japanese journal of applied physics (2008)
Title(ISO): Jpn J Appl Phys (2008)
Supplier: 社団法人応用物理学会
Publisher: Japan Society of Applied Physics
 (NLM Catalog  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Webcat Plus  (Scopus  (Scopus  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 46
必須 2
必須 491 495
都市 任意
年月日 必須 2007年 2月 15日
URL 任意 http://ci.nii.ac.jp/naid/150000048213/
DOI 任意 10.1143/JJAP.46.491    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意 10018544667
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意