徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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授業概要: 2007/集積回路特論

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EID
150315
EOID
372078
Map
[2006/集積回路特論]
LastModified
2007年12月26日(水) 18:43:11
Operator
大家 隆弘
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TRUE
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0
Owner
[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]
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種別 必須 先端技術科学教育部 (授業概要)
入学年度 必須 西暦 2007年 (平成 19年)
名称 必須 (英) Advanced Theory of Integrated Circuits / (日) 集積回路特論 / (読) しゅうせきかいろとくろん
形態 推奨
  1. 講義および演習
コース 必須
  1. 2007/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]
担当教員 必須
  1. 小中 信典
    肩書 任意
単位 必須 2
目的 必須

(英) To understand the CMOS analog circuit designs for RF-CMOS integrated circuit applications. To understand the logic LSI design by introducing a case study of the previous development of high speed bipolar logic LSIs for a Gb/s optical Tx/Rx and a super-computers.

(日) 最近主流のCMOS集積回路の高周波応用を目的にCMOSアナログ回路設計法を修得する.更に,論理LSIの理解のため高速論理回路LSI等の開発事例を紹介する.

概要 必須

(英) Main integrated circuit technologies are recently CMOS integrated circuits because of their low power dissipation, low voltage operation and high noise margin. Owing to the continuous scaling down, CMOS operation speed is improved to up to some GHz regions. The purposes of this lecture are to introduce CMOS analog circuit designs and a case study of the previous high speed logic LSIs for multi-Gb/s applications.

(日) 最近の集積回路の主流は,低消費電力とノイズマージンの面からCMOSになっている.そして,微細化のたゆまない進展によって,その高速化は,従来のバイポーラLSIが担っていた高周波領域にまで及んでいる.本講義では,CMOSの高速化設計に重要なCMOSアナログ回路について講述し,その設計手法の修得を図る.また,高周波応用を目指した論理LSI等の開発事例を紹介する.本科目は,工業に関する科目である.

キーワード 推奨
  1. アナログ回路(analog circuits)
  2. CMOS(CMOS)
  3. 回路設計(circuit design/->キーワード[回路設計])
先行科目 推奨
  1. 電子デバイス特論([2007/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2006/電子デバイス特論])
    必要度 任意
関連科目 推奨
  1. 電子回路特論([2007/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士前期課程]]/->授業概要[2006/電子回路特論])
    関連度 任意
要件 任意
注意 任意
目標 必須
  1. (英) To understand MOS transistor models and device parameters for CMOS analog circuit design.

    (日) CMOSアナログ回路設計に必要なMOSトランジスタモデルとデバイスパラメータを理解する

  2. (英) To understand CMOS single-ended amplifier, differential amplifier and current mirror circuits.

    (日) シングルエンド増幅器,差動増幅器,カレントミラー回路を理解し,アナログ回路設計が行える

  3. (英) To understand high performance LSI designs by reviewing previous development samples of high speed logic LSIs

    (日) 高速論理回路LSIの設計事例を通じて,高性能LSI設計の手法を理解する

計画 必須
  1. (英) A review of integrated circuits and basic MOS transistors

    (日) 集積回路技術の概要とMOSトランジスタの基礎

  2. (英) CMOS process flow and second-order effects of MOS transistor

    (日) MOSトランジスタのプロセス,二次効果

  3. (英) MOS Circuit models and device parameters of MOS transistors

    (日) MOSトランジスタの回路モデルとデバイスパラメータ

  4. (英) Current-voltage characteristics of MOS transistor

    (日) MOSトランジスタの電流電圧特性

  5. (英) Common-source single stage MOS amplifier

    (日) MOS ソース接地1段増幅器

  6. (英) Common-source stage with source degeneration MOS amplifier

    (日) MOS 帰還形ソース接地増幅器

  7. (英) Designing common-source stage MOS amplifier

    (日) ソース接地増幅器の設計

  8. (英) Common-gate stage MOS amplifier

    (日) MOSゲート接地増幅器

  9. (英) Common-drain stage MOS amplifier

    (日) MOSドレイン接地増幅器

  10. (英) Differential MOS amplifier

    (日) MOS差動形増幅器

  11. (英) Gilbert cell circuit

    (日) ギルバートセル

  12. (英) Current mirror circuit

    (日) カレントミラー回路

  13. (英) High speed logic LSI using differential circuits (development example)

    (日) 高速論理回路LSIの差動形回路構成(開発事例)

  14. (英) High speed macro-cell array logic LSI (development example)

    (日) 高速論理LSIのマクロセルアレイ構成(開発事例)

  15. (英) Example of system LSI

    (日) システムLSIの設計例

  16. (英) Examination

    (日) 試験

評価 必須

(英) Examination is 70% and reports are 30%. The passing score is not less than 60%.

(日) 試験70%,平常点(レポート等)30%.合計で60%以上を合格とする.

再評価 必須
対象学生 任意
教科書 必須
  1. (英) Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Behzad Razavi, McGrow-Hill, ISBN 0-07-118815-0

    (日) アナログCMOS集積回路の設計(基礎),Behzad Razavi著(丸善),ISBN 4-621-07220-X

参考資料 推奨
URL 任意
連絡先 推奨
  1. 小中 信典
    オフィスアワー 任意
科目コード 推奨
備考 任意

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