特許・実用新案: [酒井 士郎]/[直井 美貴]/チョイ ラクジュン/[徳島大学]/.三星電機/method of growing non-polar a-plane gallium nitride/20060320/20060303
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組織 | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||
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種別 | 必須 | 特許 | |||||||||||||||||||||||||||
出願国 | 必須 | ||||||||||||||||||||||||||||
発明者 | 必須 |
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出願人 | 推奨 |
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名称 | 必須 |
(英) method of growing non-polar a-plane gallium nitride |
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要約 | 任意 | ||||||||||||||||||||||||||||
キーワード | 推奨 | ||||||||||||||||||||||||||||
出願 | 必須 |
2006-077492
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開示 | 必須 | ||||||||||||||||||||||||||||
番号 | 必須 | ||||||||||||||||||||||||||||
年月日 | 必須 | 2006年 3月 3日 | |||||||||||||||||||||||||||
備考 | 任意 |