徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Okimoto Takashi/Tsukihara Masashi/Sumiyoshi Kazuhide/Kataoka Ken/[西野 克志]/[直井 美貴]/[酒井 士郎]/Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

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EID
137433
EOID
949940
Map
0
LastModified
2019年7月18日(木) 18:55:27
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
直井 美貴
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術レター(ショートペーパー)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Okimoto Takashi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《沖本 聖 (Okimoto Takashi) @ 先端技術科学教育部.博士前期課程 [大学院学生] 2006年4月〜2008年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  2. (英) Tsukihara Masashi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Sumiyoshi Kazuhide
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《住吉 和英 (Sumiyoshi Kazuhide) @ 工学研究科.博士後期課程 [大学院学生] 2004年4月〜2007年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  4. (英) Kataoka Ken
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of GaNP Buffer Layer on AlGaN Epilayers Deposited on (0001) Sapphire Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

副題 任意
要約 任意

(英) AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers grown on (0001) sapphire substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition with low-temperature (LT)-GaNP buffer have been characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). It is found that the full width at half maximum (FWHM) values of the GaNP-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers decrease are lower than that of the conventional GaN-buffer-based AlxGa1-xN ($x eq 0.1$) epilayers, but the difference becomes smaller as the Al composition increases. These results could be mainly attributed to a longer diffusion length with the GaNP buffer layer than with the GaN buffer layer.

キーワード 推奨
  1. (英) nucleation
  2. (英) MOCVD
  3. (英) XRD
発行所 推奨 (英) INSTITUTE OF PURE AND APPLIED PHYSICS / (日) Japan Society of Applied Physics
データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
[組織] 物理系学術誌刊行協会
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)([応用物理学会])
ISSN 任意
必須 45
必須 8
必須 L236 L238
都市 任意
年月日 必須 2006年 2月 初日
URL 任意 http://ci.nii.ac.jp/naid/150000013971/
DOI 任意 10.1143/JJAP.45.L236    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意 210000061816
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意