徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Okazaki Y./Kobayashi T./[小中 信典]/Morimoto T./Takahashi M./Imai K./Kado Y./New Well Structure for Deep Sub-um CMOS/BiCMOS Using thin Epitaxy Over Buried Layer and Trench Isolation/1990 Symposium on VLSI Technology

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EID
120231
EOID
1061317
Map
0
LastModified
2022年10月27日(木) 15:42:15
Operator
三木 ちひろ
Avail
TRUE
Censor
承認済
Owner
[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]
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種別 必須 国際会議
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
著者 必須
  1. (英) Okazaki Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kobayashi T.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 小中 信典
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Morimoto T.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Takahashi M.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. (英) Imai K.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  7. (英) Kado Y.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) New Well Structure for Deep Sub-um CMOS/BiCMOS Using thin Epitaxy Over Buried Layer and Trench Isolation
副題 任意
要約 任意
キーワード 推奨
発行所 推奨 IEEE
誌名 必須 (英) 1990 Symposium on VLSI Technology
ISSN 任意
巻 必須 ---
号 必須 ---
頁 必須 83 84
都市 必須 ホノルル(Honolulu/[アメリカ合衆国])
年月日 必須 1990年 6月 15日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
CRID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意