徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [岡田 達也]/Kurai Satoshi/[直井 美貴]/[西野 克志]/[猪子 富久治]/[酒井 士郎]/Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film/[Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)]

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EID
11964
EOID
335206
Map
0
LastModified
2007年3月27日(火) 11:16:12
Operator
岡田 達也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
岡田 達也
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術レター(ショートペーパー)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 岡田 達也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
    役割 任意

    (日) TEM観察,論文執筆

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Kurai Satoshi
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 直井 美貴([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
    役割 任意

    (日) MOCVD成長

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 西野 克志([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 猪子 富久治
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film

副題 任意
要約 任意

(日) 昇華法で作製したGaN単結晶上にGaN膜をMOCVD法でホモエピ成長させた.FIB法により加工して電子線が透過する部分を壁状に加工し,結晶内の転位をTEMにより観察した.また,この観察結果に基づき,GaN単結晶内の転位密度を推定した.

キーワード 推奨
発行所 推奨 応用物理学会
誌名 必須 Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters)([応用物理学会])
ISSN 任意
必須 35
必須 10
必須 1318 1320
都市 任意
年月日 必須 1996年 10月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意