徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

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著作: LaPierre R.R./[岡田 達也]/Robinson B.J./Thompson D.A./Weatherly G.C./Lateral composition modulation in InGaAsP strained layers and quantum wells grown on (100) InP by gas source molecular beam epitaxy/[Journal of Crystal Growth]

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EID
11962
EOID
932826
Map
0
LastModified
2018年11月28日(水) 18:44:10
Operator
岡田 達也
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
岡田 達也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座
著者 必須
  1. (英) LaPierre R.R.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 岡田 達也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
    役割 任意

    (日) TEM観察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Robinson B.J.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Thompson D.A.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Weatherly G.C.
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Lateral composition modulation in InGaAsP strained layers and quantum wells grown on (100) InP by gas source molecular beam epitaxy

副題 任意
要約 任意

(日) InP(100)基板上にMBE成長させたIn1-xGaxAsyP1-yひずみ薄膜および量子井戸をフォトルミネッセンスおよびTEMで評価した.特に,スピノーダル的な相分離の解析を行った.InP基板とのひずみが0%(格子整合),+0.5%(引張ひずみ),-0.5%(圧縮ひずみ)の3つの場合について,膜の成分を連続的に変えて観察した.膜内の相分離と,表面のモフォロジーとは密接な関係があることが分かった.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 158
必須 1-2
必須 6 14
都市 任意
年月日 必須 1996年 1月 1日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意