徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Ueta Yoshihiro/Sato Hisao/[酒井 士郎]/[福井 萬壽夫]/X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures/[Journal of Crystal Growth]

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EID
118404
EOID
468523
Map
0
LastModified
2009年9月7日(月) 15:55:13
Operator
三木 ちひろ
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
酒井 士郎
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
著者 必須
  1. (英) Ueta Yoshihiro / (読) うえた よしひろ
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Sato Hisao / (読) さとう ひさお
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 酒井 士郎
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. 福井 萬壽夫
    役割 任意

    (日) 計画,考察

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures

副題 任意
要約 任意

(日) PH3 ,NH3中のGaN,GaPのアニーリング効果について調査し,GaN上のGaP,GaP上のGaNのMOCVD法による成長を行った.それにより次の結果が得られた.約 800℃の低温でのNH3中のアニーリングにより,GaP内にN原子が入り込み,ウルツ鉱型GaN結晶が形成される.しかしGaN結晶の品質は低く,GaP は劣化する.一方,PH3中でのアニーリングでは,GaN中にP原子を導入するためには高温アニーリングが必要である.GaP上に堅いGaNをヘテロ成長させると,基板の品質を劣化させ,逆に,堅いGaNの上に成長させた柔らかいGaPは,基板の品質に大いに影響されること.等がわかった.

キーワード 推奨
発行所 推奨 Elsevier(->組織[Elsevier Science])
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
ISSN 任意
必須 145
必須 1-4
必須 203 208
都市 任意 アムステルダム(Amsterdam/[オランダ王国])
年月日 必須 1994年 12月 2日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意