授業概要: 2005/集積回路1
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種別 | 必須 | 工学部•昼間 (授業概要) | |||
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入学年度 | 必須 | 西暦 2005年 (平成 17年) | |||
名称 | 必須 |
(英) Integrated Circuit (I) / (日) 集積回路1 / (読) しゅうせきかいろ
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コース | 必須 | ||||
担当教員 | 必須 |
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単位 | 必須 | 2 | |||
目的 | 必須 |
(日) 集積回路技術が産業として大きく発展した技術的背景の理解と共に,プロセス設計,デバイス設計に必要な基礎知識の習得を目標とする. |
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概要 | 必須 |
(日) MOS集積回路作製の基本的プロセス,酸化·拡散などの要素プロセス技術,MOSトランジスタ特性を理解する上で重要なMOSダイオード特性,しきい値電圧,グラジュアルチャネル近似,配線や微細化の限界などについて講義と演習を行う. |
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キーワード | 推奨 | ||||
先行科目 | 推奨 | ||||
関連科目 | 推奨 |
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要件 | 任意 | ||||
注意 | 任意 |
(日) 演習,試験では関数電卓持参のこと. |
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目標 | 必須 |
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計画 | 必須 |
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評価 | 必須 |
(日) 講義に対する理解の評価は,平常点(レポートの提出状況·内容)および試験により評価する. |
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JABEE合格 | 任意 | ||||
JABEE関連 | 任意 |
(日) (D)専門基礎50%,(E)専門分野(物性デバイス)50% |
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対象学生 | 任意 | 開講コース学生のみ履修可能 | |||
教科書 | 必須 |
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参考資料 | 推奨 | ||||
URL | 任意 | ||||
連絡先 | 推奨 |
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科目コード | 推奨 | ||||
備考 | 任意 |
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