徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

徳島大学ウェブサイトへのリンク

著作: [日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/山内 規義/Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in Radio Frequency Sputtered Gallium-Nitride Films/[Journal of Vacuum Science & Technology A]

ヘルプを読む

「著作」(著作(著書,論文,レター,国際会議など))は,研究業績にかかる著作(著書,論文,レター,国際会議など)を登録するテーブルです. (この情報が属するテーブルの詳細な定義を見る)

  • 項目名の部分にマウスカーソルを置いて少し待つと,項目の簡単な説明がツールチップ表示されます.

この情報をEDB閲覧画面で開く

EID
101317
EOID
876516
Map
0
LastModified
2017年11月29日(水) 17:45:33
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Yamauchi Noriyoshi / (日) 山内 規義 / (読) やまうち のりよし
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《山内 規義 () @ 工学部 [学部学生] 1998年4月〜2002年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
題名 必須

(英) Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in Radio Frequency Sputtered Gallium-Nitride Films

副題 任意
要約 任意

(英) The crystal orientation and residual stress in gallium nitride (GaN) films deposited on a single-crystal (0001) sapphire substrate using a sputtering system are examined through x-ray diffraction measurements as part of a study of low-temperature sputtering techniques for GaN. The rf sputtering system has an isolated deposition chamber to prevent contamination with impurities, and is expected to produce high-purity nitride films. GaN films are deposited at various substrate temperatures and constant gas pressure and input power. This system is found to produce GaN films with good crystal orientation, with the c axes of GaN crystals oriented normal to the substrate surface. The crystal size of films deposited at high temperature is larger than that deposited at low TS. All films except that deposited at 973 K exhibit compressive residual stress, and this residual stress is found to decrease with increasing temperature. Finally, the film deposited at 973 K was tinged with white, and the surface contained numerous microcracks.

(日) GaNの低温スパッタリング技術の研究として,スパッタリングシステムを用いて(0001)単結晶サファイア基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた.高周波スパッタリングシステムは,不純物による汚染を防ぐために孤立した堆積室を持ち,高純度窒化膜を生成することが期待できる.いろいろな基板温度,一定のガス圧,一定の供給電力でGaN膜を堆積した.このシステムにより,基板面法線方向にGaN結晶のc軸が優先配向し,良い結晶配向性を有するGaN膜の生成することがわかった.高温で堆積した膜の結晶サイズは,低TSで生成したものよりも大きくなる.973Kで堆積したものを除くすべての膜で圧縮残留応力が現れ,この残留応力は温度の増加とともに減少する.最後に973Kで堆積した膜は白く着色し,表面には多数の微小クラックが含有した.

キーワード 推奨
発行所 推奨 (英) American Vacuum Society / (日) アメリカ真空学会 / (読) あめりかしんくうがっかい
誌名 必須 Journal of Vacuum Science & Technology A(American Vacuum Society/[American Institute of Physics])
(pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)
ISSN 任意 0734-2101
ISSN: 0734-2101 (pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)
Title: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol A
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 22
必須 4
必須 1587 1590
都市 任意 ニューヨーク(New York/[アメリカ合衆国])
年月日 必須 2004年 7月 21日
URL 任意 http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=JVTAD6000022000004001587000001&idtype=cvips&gifs=Yes
DOI 任意 10.1116/1.1759348    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000223322000085
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意