徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [英 崇夫]/松英 達也/池内 保一/Dependence to processing conditions of structure in TiN films deposited by arc ion plating/[Vacuum]

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EID
100190
EOID
876288
Map
0
LastModified
2017年11月28日(火) 17:49:50
Operator
大家 隆弘
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TRUE
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0
Owner
[学科長]/[徳島大学.工学部.機械工学科]
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科
著者 必須
  1. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Matsue Tatsuya / (日) 松英 達也 / (読) まつえ たつや
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Ikeuchi Yasukazu / (日) 池内 保一 / (読) いけうち やすかず
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Dependence to processing conditions of structure in TiN films deposited by arc ion plating

副題 任意
要約 任意

(日) 本論文は,アークイオンプレーティング法により成膜したTiN膜の構造のX線的評価に関するものである.基板設置の方向として,ターゲットに平行な場合と垂直な場合を準備した.膜の作製条件として,バイアス電圧をパラメータとした.基板がターゲットに平行な場合,0Vで{110}配向,高バイアス電圧で{111}配向となった.基板が垂直な場合は,0Vのときランダム配向,-10Vで{110}配向,それより高い電圧で{111}配向になった.XPS測定によりN/Tiの原子比を求めた結果,約0.89であった.{110}配向の膜には膜と基板の界面付近に窒素酸化物が観測されたが,{111}配向の膜にはそれが観測されなかった.

キーワード 推奨
  1. (英) thin film
  2. 結晶構造(crystal structure)
  3. (英) surface morphology
  4. (英) X-ray deffraction
  5. (英) X-ray photoelectron spectroscopy
発行所 推奨 Elsevier Science
誌名 必須 Vacuum([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
ISSN 任意 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 74
必須 3-4
必須 647 651
都市 任意 (英) Norwich
年月日 必須 2004年 6月 7日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.vacuum.2004.01.049    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000221843100050
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意